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ZXTDBM832TA

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ZXTDBM832TA外观图

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  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:晶体管(BJT) - 阵列
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  • 晶体管类型:2 NPN(双)
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):4.5A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):20V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):270mV @ 125mA,4.5A
  • 电流 - 集电极截止(最大):25nA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):200 @ 2A,2V
  • 功率 - 最大:1.7W
  • 频率 - 转换:140MHz
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:8-MLP
  • 供应商设备封装:8-MLP(3x2)
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:ZXTDBM832TATR
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